对氢致裂纹（HIC）的探测

一般应用说明

氢致裂纹（HIC）可能会出现在暴露于含有氢硫化物的水湿环境中的敏感钢材中。这是一种由氢元素导致的开裂形式，可以有两种不同的表现形态：

1. 第一种形态通常被称为氢致裂纹（HIC），可以在没有或存在极少的施加的或残留的拉伸应力的情况下出现。这种缺陷表现为平行于钢板表面的水泡或水泡裂纹。

2. 第二种形态是在材料厚度方向上由穿晶解理裂纹连接在一起而形成的一系列水泡裂纹。第二种裂纹类型被称为应力定向氢致裂纹（SOHIC）。由于应力定向氢致裂纹（SOHIC）会极大地降低钢材的承载能力，因此与氢致裂纹（HIC）相比，会更大地影响钢材的耐用性能。

检测要求缺陷区域的特性要能区分点状夹杂物、分层以及氢致裂纹（HIC）的不同阶段。

OmniScan仪器所进行的电子角度扫查（S扫描）具有一次性完成从负30度到正30度扫查的优势。这种扫查技术的成像功能可使用户区分点状缺陷指示和关联性缺陷。

典型的检测要求

• 厚壁碳钢容器
• 厚度范围为10毫米到150毫米

相控阵技术的优势特性

• 成像功能可以方便地解读缺陷之间的关联
• 极高的便携性能降低了每两次连续检测之间的设置时间

缺陷的类型

• 点状夹杂物
• 分层
• 应力定向氢致开裂（SOHIC）

解决方案的说明

• 使用OmniScan和相控阵探头进行手动检测
• 使用从负30度到正30度的纵波折射角扇形扫查的检测设置
• A扫描和S扫描数据的实时显示
• 可以存储显示屏幕的截图或完整的数据文件，以在基于计算机的软件中进行分析（TomoView或OmniPC）

所需设备

• OmniScan MX或或OmniScan SX
• 5 MHz，16晶片的相控阵探头
• 用于分析的TomoView或OmniPC软件

检测方式
使用零度光栅扫查，找到带有分层缺陷的区域。然后，再以手动方式在带有缺陷的区域上移动使用负30度到正30度S扫描设置的相控阵探头进行扫查，以确定这些缺陷之间是否有关联。

可以立即创建屏幕截图与缺陷报告，以备日后打印。

从55毫米壁厚的容器采集到的氢致裂纹的样本数据